ATD3000M无掩膜直写光刻设备

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Description

ATD2000P无掩膜直写光刻设备基于先进的第二代光刻直写技术, 通过空间光调制器扫描技术实现直写光刻。该产品采用高功率半导体激光（λ：405nm）光源和全自动对焦、对准技术，可应用于大规模IC 150nm工艺节点用掩膜版制作、微纳加工、MEMS、LED、生物芯片等。

	Item	Unit	ATD2000P
1	光源	[N/A]	LED/LD
2	工作波长	[nm]	405±10
3	可支持基底	[Inch]	2"、4"、6"、8"或规则形状的基底; 包括 Si、SiN、GaAs、InP、LiNbO3、SiC 等透明、半透明、不透明基底
4	能量控制精度	[N/A]	±1
5	最小线宽	[um]	0.65
6	线宽均匀性	[3σ,um]	0.06
7	套刻精度	[mean+3σ,um]	0.25
9	拼接误差	[3σ,um]	0.1
10	产能	[mm2/min]	350

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